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長晶科技超高性能FST3.0 IGBT單管為光伏儲能等應用注入新動能

發布時間：2025-06-09 品牌：長晶(JSCJ) 瀏覽量：791

在光伏儲能等新能源應用需求激增的當下，功率半導體器件的性能升級成為行業關鍵。長晶科技推出的FST3.0（對標國際Gen7.0） 650V和1200V系列的三款IGBT單管——CGR120N65F3SAD、CGR160N65F3KAD、CGR140N120F3KAD，憑借先進技術與優異性能，為光伏儲能等應用注入新動能。

 

Part NO. 封裝 規格 VCE(sat) (V) @25℃ Eon (mJ) @25℃ Eoff (mJ) @25℃
CGR120N65F3SAD TO-247PLUS 650V120A 1.5 8.4 4.0
CGR160N65F3KAD TO-247PLUS 650V160A 1.65 11.2 5.4
CGR140N120F3KAD TO-247PLUS 1200V140A 1.6 11.8 5.5

 

  • 650V 系列：CGR120N65F3SAD（120A）與 CGR160N65F3KAD（160A），滿足中低電壓場景下的功率轉換需求，適配中小功率儲能逆變器。
  • 1200V 系列：CGR140N120F3KAD（140A），針對高壓大功率光伏電站等應用，提供穩定的高壓功率支持。

三款產品均采用 TO-247PLUS 封裝，兼具優異電氣性能與散熱能力，適應光伏儲能系統的復雜工況。

 

產品特點:

  • 載流子密度提升：通過 1.6μm Pitch 微溝槽柵與場終止技術，芯片元胞結構優化，載流子密度顯著增加，功率密度大幅提升，在相同芯片面積下實現更高電流輸出，經濟性與性能雙優。
  • 損耗優化：通態損耗（Vce (sat)）與開關損耗（Eon、Eoff）全面優化。以 CGR140N120F3KAD 為例，Vce (sat) 僅 1.6V（@25℃），低于競品（如 I Company Gen7.0 的 1.7V），通態損耗更低；開關損耗方面，Eon=11.8mJ、Eoff=5.5mJ（@25℃），在高效開關過程中減少能量浪費，提升系統效率。
  • 魯棒性保障：在優化損耗的同時，產品通過結構設計與工藝改進，確保高溫、高濕度等嚴苛環境下的穩定運行，滿足光伏儲能系統長期可靠工作的需求。

 

以1200V、140A產品為例，參數對比主流競品參數如下：

 

應用場景：深度賦能光伏儲能生態

  • 光伏逆變器：高效轉換光伏電能，降低功率損耗，提升發電效率。
  • 儲能系統：在充放電過程中實現低損耗、高可靠性的功率調節，延長儲能設備壽命，優化系統成本。
  • 新能源汽車充電設施：為快充設備提供穩定高壓功率支持，加速充電效率。

 

長晶科技FST3.0 IGBT系列的推出，是國內功率半導體技術在光伏儲能領域的一次重要突破。通過微溝槽柵與場終止技術的融合，產品在損耗、功率密度與可靠性上實現全面升級，為全球光伏儲能市場提供了高性能、高性價比的解決方案。未來，長晶科技將持續深耕技術創新，以更多元化的產品矩陣，賦能新能源、工業控制等多領域發展，引領功率半導體行業的高效能變革。

 

南山電子是長晶科技原廠授權代理商，歡迎咨詢選購長晶科技超高性能FST3.0 IGBT單管，如需產品詳情、選型指導或樣品申請，請聯系網站客服。