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電子元器件整合供應商

解決方案

作為致力成為最具價值的電子元器件整合供應商，南京南山擁有能為客戶提供全套電子元器件的強大整合能力。公司擁有專門技術團隊，建有電子元器件例行試驗室，能為客戶提供全方位的技術咨詢、器件選型、樣品提供、器件檢測等增值服務。

上海貝嶺IGBT與SiC MOS功率器件與IC芯片，賦能直流充電樁與V2G應用

發布時間：2025-11-25 品牌：上海貝嶺(BELLING) 瀏覽量：156

隨著電動汽車續航與電池容量不斷提升，市場對高效率、快充基礎設施的需求日益緊迫。V2G（車輛到電網）技術進一步拓展了充電樁功能邊界，使其不僅能充電，還可將電動車電池電能回饋至電網，參與電網調節，提升電網對可再生能源的接納能力。
直流充電樁主要由前級AC/DC電路與后級DC/DC電路構成。前級將電網交流電（380–415VAC）轉換為約800V的直流電壓，前級拓撲主要有Vienna PFC和T型NPC PFC；后級將直流電壓轉換為適合電池充電的電壓，后級拓撲主要有LLC電路和雙有源橋。


直流充電樁貝嶺選型方案：

上海貝嶺提供覆蓋650V與1200V電壓等級的系列化半導體解決方案，包括IGBT、SiC MOS，以及用于輔助電源的Planar MOS等功率器件與關鍵IC芯片，為充電樁提供從功率轉換到控制管理的完整技術支撐，助力高效、高可靠性充電系統設計。


功率器件選型表：

功能模塊 應用拓撲 電壓等級 電流等級 器件分類 產品 封裝
前級
AC/DC		 三相維也納
T型三電平		 650V 40A IGBT BLG40T65FDK TO247-3L
650V 50A BLG50T65FDKA TO247-3L
650V 60A BLG60T65FDK TO247-3L
650V 80A BLG80T65FDK7 TO247-3L
650V 80A BLG80T65FDH7 TO247-3L
T型三電平 1200V 40A BLG40T120FDH TO247-3L
1200V 40A BLG40T120FDK5 TO247-3L
1200V 120A BLG120T120FEK7 TO247PLUS-3L
1200V 144A SiC模塊 BLCMF011N120DG2 EASY1B
后級
DC/DC		 全橋LLC
雙有源橋
DAB		 1200V 68A SiC MOS BLC40N120 TO247-4L
1200V 152A BLC13N120 TO247-4L
1200V 120A BLC16N120 TO247-4L
1200V 120A IGBT BLG120T120FEK7 TO247PLUS-3L
1200V 144A SiC模塊 BLCMF011N120DG2 EASY1B
輔助電源 單管反激 1500V 3A Planar MOS BL3N150 TO220
4A BL4N150 TO220
1200V 3A BL3N120 TO220
4A BL4N120 TO220
6A BL6N120 TO220

IC芯片選型表：

類別 產品 特性 封裝
AC-DC ME8206 ? SSR
? 外置 MOSFE
? Pout(Max.)100W
? 適合電源適配器等大功率電源應用		 SOP8
EEPROM BL24CxxxA ? IIC
? 2K~2M
? 最高時鐘頻率 1M
? 工作電壓 1.7~5.5V		 SOT89-3
SOT223
TO252
SOP8
TO92
LDO/三端穩壓 BL1117 ? 工作電壓 Max.15V
? 輸出電流 1A
? Bipolar 型		 SOT223
TO252
BL78L05D ? 工作電壓 Max.42V
? 輸出電流 100mA
? Bipolar 型		 SOT89-3
SOP8
TO92
運放/比較器 BL358 系列 ? 低、中、高壓運算放大器 SOP8
ME393 ? 2CH 輸入共模電壓范圍可達零電平
? 輸入差分電壓的范圍與電源電壓的范圍一致		 SOP8
ME339 ? 4CH 輸入共模電壓范圍可達零電平
? 輸入差分電壓的范圍與電源電壓的范圍一致		 SOP10
DIP10
低側驅動器 SA2532 ? 兩通道柵極驅動
? 工作電壓 5.0~25V
? 驅動能力為+1.0A/-1.5A		 DFN2×2-8
SOP8

上海貝嶺IGBT技術特點：

貝嶺IGBT7平臺采用先進的溝槽場截止（T-FS）技術。BLG80T65FDK7以較低的Vce(sat)和開關損耗，能有效降低充電器熱量損耗，提高效率。

  • 低開關損耗：在25℃和175℃條件下，BLG80T65FDK7的Eon、Eoff和總損耗Ets均優于競品H5系列，可提高系統整體效率，并減輕散熱負擔。
  • 低飽和壓降：在25℃下，BLG80T65FDK7的Vce(sat)比競品H5系列小16%左右，有利于降低導通損耗。Vce正溫度系數有利于單管并聯使用，避免“電流集中”導致的過熱損壞。
  • 低漏電流：在高溫175℃條件下，BLG80T65FDK7的漏電遠小于競品，對于充電樁這類要求持續高負荷運行的設備來說，可提高系統能效和穩定性。

上海貝嶺SiC MOSFET技術特點：

貝嶺BLC16N120這款N溝道增強型平面SiC MOSFET采用第二代平面柵技術，具有低導通電阻、低電容、低柵極電荷、高開關頻率和低開關損耗等優越性能。

  • 低RDS(ON)溫升系數：在溫度175℃下，BLC16N120的Rdson比競品低15%—45%左右，溫升系數低易于高功率密度并聯使用，可降低充電樁系統溫升。
  • 低HDFM：BLC16N120的HDFM遠低于很多競品，HDFM用于衡量器件的導通損耗和開關損耗，數值越小意味著整體效率越高。
  • 高抗串擾能力：在全橋這類拓撲結構中，BLC16N120具備的高抗串擾能力能有效地抵御橋臂直通的風險。