創(chuàng)_2025031780bafae8.png "國(guó)創(chuàng)(XSEMI)")
EPSON-NSCN晶體電路評(píng)估聯(lián)合測(cè)試中心-服務(wù)項(xiàng)目
CE測(cè)試檢測(cè)項(xiàng)目
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晶振負(fù)性阻抗測(cè)試
晶體在設(shè)計(jì)和使用的過程中，用戶會(huì)發(fā)現(xiàn)其起振時(shí)間過長(zhǎng)以及工作過程中意外停振等不穩(wěn)定的情況，導(dǎo)致系統(tǒng)工作異常等嚴(yán)重后果。 EPSON-NSCN晶體電路評(píng)估聯(lián)合測(cè)試中心將在晶體回路中串入可調(diào)電阻，從小到大改變電阻阻值，選擇使回路停振之前的阻值作為-R的評(píng)估值。用相同方法測(cè)試更改負(fù)載電容后回路的負(fù)性阻抗值，并保存數(shù)據(jù)對(duì)比。可以使改變?cè)O(shè)計(jì)后的回路負(fù)阻抗顯著提高。 -
頻率精度測(cè)試
負(fù)載電容(CL)是用來決定在振蕩電路中晶振頻率的參數(shù)，從加在振蕩電路中晶振兩端的電容可知負(fù)載容量。因電路的負(fù)載電容的不同，晶振的頻率會(huì)相應(yīng)的產(chǎn)生變動(dòng)。為了獲得目標(biāo)的頻率精度，必須使晶振于負(fù)載電容相配。 。通過晶體電路評(píng)估測(cè)試（CE測(cè)試），我們將為你找到最佳外接負(fù)載電容值，提供高精度的線路匹配方案。 -
驅(qū)動(dòng)功率測(cè)試
每顆晶體在工作時(shí)都不能超過它的最大功率值，如果超出將導(dǎo)致頻率偏差變大，晶體溫度升高嚴(yán)重的可以導(dǎo)致晶體永久損壞，從而導(dǎo)致系統(tǒng)崩潰。 EPSON-NSCN晶體電路評(píng)估聯(lián)合測(cè)試中心通過專業(yè)的驅(qū)動(dòng)功率測(cè)試方法和專業(yè)設(shè)備,獲得針對(duì)特試晶振回路的驅(qū)動(dòng)功率準(zhǔn)確上限數(shù)據(jù)。
